【IXTQ26N50P出售原装TO-3P场效应管26A500V深圳现货】价格_批发_厂家_品牌_参数

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IXTQ26N50P出售原装TO-3P场效应管26A500V深圳现货

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TO-220

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深圳市铭顺信电子有限公司

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图文详情

标准包装	30
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	26A
Rds（）@ ID，VGS	230 mOhm @ 13A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	5.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	65nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3600pF @ 25V
功率 -	400W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P
包装材料	Tube
动态目录	N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXTQ26N50P&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
包装宽度	4.9(Max)
通道模式	Enhancement
标准包装名称	TO-3P
包装高度	20.3(Max)
安装	Through Hole
功率耗散	400000
渠道类型	N
漏源电阻	230@10V
低工作温度	-55
漏源电压	500
每个芯片的元件数	1
标签	Tab
供应商封装形式	TO-3P
包装长度	15.8(Max)
PCB	3
连续漏极电流	26
引脚数	3
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	26A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	5.5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-3P
开态Rds（）@ Id ，V GS	230 mOhm @ 13A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	400W
标准包装	30
输入电容（Ciss ） @ VDS	3600pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	65nC @ 10V
封装/外壳	TO-3P-3, SC-65-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	30
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	26 A
系列	IXTQ26N50
封装/外壳	TO-3P
单位重量	0.194007 oz
RDS（ON）	230 mOhms
功率耗散	400 W
安装风格	Through Hole
正向跨导 - 闵	31 s
典型关闭延迟时间	58 ns
上升时间	25 ns
高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	500 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	20 ns

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