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图文详情
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 36A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 990 mOhm @ 36A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 209nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 14965pF @ 15V |
| 功率 - | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8Power 56 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 36 A |
| RDS -于 | 0.99@10V mOhm |
| 门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 28 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 83 ns |
| 典型下降时间 | 21 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | Power 56 |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| 功率耗散 | 2500 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 漏源电阻 | 0.99@10V |
| 低工作温度 | -55 |
| 漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6 |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| 包装长度 | 5 |
| PCB | 8 |
| 连续漏极电流 | 36 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 36A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 0.99 mOhm @ 36A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 14965pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 209nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMS7650CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 5mm |
| 漏源电阻 | 1.7 mΩ |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 功率耗散 | 104 W |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | Power 56 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 149 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 11250 pF V @ 15 |
| 宽度 | 6mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 60 A |
| 封装/外壳 | Power 56 |
| 下降时间 | 21 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 267 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | FDMS7650 |
| RDS（ON） | 1.1 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 24 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源电压（ 值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :100A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.008ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
| 功耗 | :104W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :Power 56 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013 |
产品属性
品牌
F
型号
FDMS7650
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
封装
Power 56
批号
环保
漏源电压（Vdss）
30V
漏极电流(Id)
60A
最大耗散功率
2.5 W
应用领域
智能家居
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