工厂包装数量 2000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V

晶体管极性 N-Channel

封装/外壳 HSOF-8

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.2 V

宽度 10.1 mm

Qg - Gate Charge 169 nC

Vgs - Gate-Source Voltage 20 V

下降时间 30 ns

安装风格 SMD/SMT

品牌 Infineon Technologies

通道数 1 Channel

配置 Single

高工作温度 + 175 C

晶体管类型 1 N-Channel

正向跨导 - 闵 140 S

Id - Continuous Drain Current 300 A

长度 10.58 mm

Rds On - Drain-Source Resistance 2 mOhms

RoHS RoHS Compliant

典型关闭延迟时间 85 ns

通道模式 Enhancement

身高 2.4 mm

封装 Reel

典型导通延迟时间 36 ns

低工作温度 - 55 C

Pd - Power Dissipation 375 W

上升时间 30 ns

技术 Si

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