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TO252
新年份
品牌 型号 ..
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 12 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 2.1V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 49nC @ 10V
Vgs（ 值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 3170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
