AO3481C一般说明：

沟道功率MOSFET技术30V

    •低RDS（ON）

    •低栅极电荷

    •符合RoHS和无卤素标准

AO3481C特征：

VDS

 ID (at VGS=-10V) -4.3A 

 RDS(ON) (at VGS=-10V) < 45mΩ 

 RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 65mΩ

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