松木mos管 ME4894（-G）N沟道mos管 30V（D-S）MOSFET

ME4894（-G）一般说明：

ME4894是N通道逻辑增强模式功率场，采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的效应晶体管。 这种高密度工艺特别适合于 小化导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑，计算机电源管理和其他电池供电的电路，这些应用需要高端开关和低串联电源损耗，外形非常小。ME4894（-G）表面贴装封装。

ME4894（-G）特征：

●RDS（ON）≦11.7mΩ@VGS=10V

●RDS（ON）≦18.2mΩ@VGS=4.5V

●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

●出色的导通电阻和 直流电流能力

ME4894（-G）应用领域：

●笔记本中的电源管理

●电池供电系统

●DC / DC转换器

●负荷开关

本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过ME4894英文规格书翻译中文整理分享，由于泰德兰电子长期代理电源ic，快充ic芯片，mos管等芯片，所以对这版块的相关技术知识进行分享，欢迎大家下方留言互动。