ME15N10一般说明

ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。

ME15N10特征

●RDS（ON）≦100mΩ@ VGS = 10V

●超高密度电池设计，可实现极低的R DS（ON）

●出色的导通电阻和 直流电流能力

ME15N10应用领域

●笔记本中的电源管理

●DC / DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\

CJU15N10一般说明

CJU15N10 提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和

以低栅极电压运行。 该设备适合用作

负载开关或在 PWM 应用中。

CJU15N10特征

z 的封装，良好的散热

z 超低栅极电荷

z 低反向传输电容

z 快速切换能力

z 指定雪崩能量

阅读我的更多文章

• °AOS发布高性能智能功率级（SPS）AOZ527xQI系列-AOS万代

• °mos管N 沟道 100V (D-S) 松木ME15N10替代AOS万代AOD4286 N沟道MOS管

• °怎样测量mos管好坏视频教程，mos管好坏万用表测量方法实战视频教