松木ME15N10-G替代新洁能-NCEPower，NCE0110AK，N沟道 MOSFET选型方案，欢迎咨询泰德兰电子

ME15N10一般说明

ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。

ME15N10特征

●RDS（ON）≦100mΩ@ VGS = 10V

●超高密度电池设计，可实现极低的R DS（ON）

●出色的导通电阻和 直流电流能力

ME15N10应用领域

●笔记本中的电源管理

●DC / DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

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NCE0110AK描述

NCE0110AK 采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。

NCE0110AK一般特征

● VDS =100V,ID =10A

RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=10V（典型值：95mΩ）

RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=4.5V（典型值：100mΩ）

● 超低Rdson的高密度单元设计

● 充分表征雪崩电压和电流

● 良好的稳定性和均匀性，高EAS

● 的封装，良好的散热

● 高ESD能力的特殊工艺技术

NCE0110AK应用

● 电源开关应用

● 硬开关和高频电路

● 不间断电源

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