ME2307一般说明

ME2307是P-Channel逻辑增强型电源场效应晶体管采用高单元密度，DMOS 沟槽生产技术。 这种高密度工艺特别适用于zui小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在非常小的外形中需要低在线功率损耗的地方表面贴装封装。

ME2307特征

● RDS(ON) ≦70mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON) ≦95mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

ME2307应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

松木ME2307/ME2307-G（替代）AOS万代AO3407A/AO3407正品P沟道30V

AO3407A 品牌介绍

AOS 在 Trench Power MOSFET 领域kai创了 fab-lite 模式，开发了专门在zui先jin的 8 英寸晶圆厂制造的领xian产品。 AOS 的美国总部设计了先进的专有硅和封装工艺，然后以其非常gao效的制造模式进行生产。 我们的产品组合涵盖 6V 至 1000V MOSFET 和 600V、650V、1200V 和 1350V IGBT。

AO3407A 简述

AO3407A 采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的 RDS(ON)。 该器件适合用作负载开关或 PWM 应用。

AO3407A 特性

Product SummaryVDS ID (at VGS=-10V) -4.3A RDS(ON) (at VGS=-10V) < 48mΩ RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 78mΩ

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