松木松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-S)MOSFET

ME2306A/ME2306A-G一般说明

ME2306A 是 N 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是专门为 限度地减少导通状态而量身定制的抵抗性。

这些器件特别适用于低压应用，例如

作为手机、笔记本电脑电源管理等

电池供电电路，以及所需的低在线功率损耗

采用非常小的外形表面贴装封装。

ME2306A/ME2306A-G特征

● RDS(ON)≦32mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦38mΩ@VGS=4.5V

● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=2.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME2306A/ME2306A-G应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

松木松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-S)MOSFET

CJ3400特征

z 用于极低 RDS(ON) 的高密度单元设计

z 出色的导通电阻和 直流电流能力

CJ3400应用

z 负载/电源切换

z 接口交换

CJ3400包装说明：

 SOT-23 部件以胶带运输。 承运人胶带由耗散（碳填充）制成聚碳酸酯树脂。 盖带是多层的薄膜（本质上是热活化粘合剂）主要由聚酯薄膜、粘合剂层、密封胶组成，和防静电喷涂剂。 这些卷曲的零件在标准选项每 7" 装运 3,000 件或 17.8 厘米直径的卷轴。 卷轴颜色清晰由聚苯乙烯塑料制成（防静电涂层）。

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