安森德ASDM20N60KQ 一般特征

低栅极电荷

增强模式

快速切换

高功率和电流处理能力

安森德ASDM20N60KQ 应用

DC-DC 初级桥

DC-DC同步整流

直流风扇

安森德ASDM20N60KQ封装

TO-252  

脉冲宽度受安全操作区限制。

基于 允许结温计算的连续电流。 电流受焊线限制。

受 TJmax 限制，IAS =20A，VDD = 15V，RG = 50Ω，起始 TJ = 25°C。

脉冲测试； 脉宽£300ms，占空比£2%。

由设计保证，不受生产测试的影响。

中低压Mosfet安森德ASDM20N60KQ被应用在锂电保护项目上，需要了解更多安森德ASDM20N60KQ代替型号，欢迎咨询泰德兰电子。转载：http://www.tdldz.com/newsData_955.html

阅读我的更多文章

°松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS万代AO3400A 30V N 沟道mos管方案

°松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管

°松木ME2302（替代）AOS万代AO3414 N沟道功率场效应晶管-泰德兰电子