ASDM4406S特征

● 率

●低密度单元设计

●先进的沟槽工艺技术

●改进的dv/dt能力

●可靠坚固

ASDM4406S应用

●网络、负载切换

●LED照明

ASDM4406S数量

一盘数量为4000支

ASDM4406S封装

SOP-8

Tj=25℃时的 dui 额定值（除非另有说明）

ASDM4406S（代替）美国万代AO4406，30V N 沟道 MOSFET代理商

AO4406A 简述：

AO4406A 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于 SMPS 和通用应用中的高端开关。

AO4406A 特点：

制造商零件编号：AO4406A

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（ 值）：11.5 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（ 值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：910pF @ 15V

功率 - 值：3.1W

安装类型：表面贴装

AO4406A 封装：

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

转载：http://www.tdldz.com/newsData_957.html

阅读我的更多文章

• °ASDM4406S（代替）XP4406，30V N 沟道 MOSFET

• °安森德ASDM20N60KQ (替代)NCE2060 N沟道 MOSFET中低压N-MOS方案

• °松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS万代AO3400A 30V N 沟道mos管方案

•