安森德ASDM30N55E特征

• EAS 保证

•绿色设备可用

•超低栅极电荷

•优异的CdV/dt效应衰减

•先进的高细胞密度沟槽技术

安森德ASDM30N55E应用

• 逆变器系统中的电源管理

安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管

AON7544 新 Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) 技术

• 4.5VGS 时的极低 RDS(on)

• 低栅极电荷

• 高电流能力

• 符合 RoHS 和无卤素标准

• 计算、服务器和 POL 中的 DC/DC 转换器

• 电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器

AON7544特点

系列：AlphaMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：23A（Ta），30A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（ 值）：5.1 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（ 值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1128pF @ 15V

功率 - 值：4.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）

制造商零件编号：AON7538

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN

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