ME3587一般说明

ME3587 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 ME3587这种高密度工艺特别适用于 限度地减少导通电阻。 ME3587这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。

ME3587特征

● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=2.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=1.8V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦110mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=-2.5V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦170mΩ@VGS=-1.8V (P-Ch)

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME3587应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

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AO6602简述：

AO6602 使用先进的沟槽技术提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 互补 MOSFET 形成高速功率逆变器，适用于多种应用。

AO6602产品概要：

N 沟道 P 沟道

VDS= 30V -30V

ID= 3.5A (VGS=10V) -2.7A (VGS=-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 50mΩ (VGS=10V) < 100mΩ (VGS=-10V)

< 70mΩ (VGS=4.5V) < 170mΩ (VGS=-4.5V)

AO6602封装：

AO6602封装方式采用TSOP6

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