金源金属 那曲锗回收 锗块回收上门回收

韶关市金源金属材料有限公司

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锗氧化物尤其是GeO2由于其较差的电学性能和稳定性能,以及去除工艺的复杂性,历来被视为阻止锗半导体器件进一步广泛应用的阻碍.近来亚态非化学计量比的氧化物GeOx层受到很多学者的关注.但是研究主要侧重于GeOx作为形成锗纳米晶体前驱物方面的应用,而锗氧化物在锗单晶钝化方面的研究却鲜见报道.本论文采用湿化学方法对锗片表面进行了处理,在样品表面获得了GeOx层.以微电导少子寿命测试仪和X射线光电子能谱仪测试结果作为依据,对各个影响因素进行了系统的分析,比较不同工艺条件下的钝化效果.结合随机成键模型和桑德森电负性方法为基础进行了理论模拟,对湿化学钝化效果的实现进行了机理分析.本文得出的主要研究结果总结如下:1.单独利用氧化剂进行处理.分别利用酸溶液,过化氢溶液作为氧化剂,分别对不同导电类型的样品进行处理.样品反应后样品少子寿命 高为n型:75μs;p型:50.27μs(未处理样品的少子寿命分别为n:49.57μs,p:32.8μs).利用XPS测试进行机理分析,钝化效果实现是由于氧化剂将氧原子与表面的悬挂键结合,使样品表面的悬挂键密度减少,进而减少杂质能级的密度.结果还显示,钝化效果并不是来自于+4价态锗氧化物GeO2而是GeOx(1

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