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锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。

锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成 氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。

根据美国地质调查局2015年公布数据显示，全球各国精铟产量如下（单位：公吨）：

铟主产国：中国、日本、韩国、加拿大。

铟主要消费国：美国、日本、欧盟、中国、中国台湾地区、韩国。

铟主要出口国：中国、韩国、加拿大、比利时。

铟主要进口国：美国、日本、新加坡。

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产品用途：

     ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。ITO也被用于各种光学镀膜，注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。

产品包装： 

  净重：500g或1kg/袋

  内包装:塑料袋

  外包装:泡沫箱，外层纸箱

产品运输及存储：

  密封保存于阴凉干燥处，防止受潮。可按普通货物运输，非危险品。

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韶关市金源金属材料有限公司 

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