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冠禹半导体KS2322EB单 P沟道高级功率 MOSFET解决方案!

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深圳市泰德兰电子有限公司
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产品特征

-20V/-6A,

Rds(on)=25mQ 仃 yp.)@VGs=・4.5V

Ros(on)=34mQ 仃 yp.)@VGs=・2.5V

Rds(ON)=42mQ(Typ.)@VGS=-1.8V

低路(开)

超高密度电池设计

可靠且坚固


产品应用

负载开关


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产品属性
品牌
冠禹MOS
型号
KS2322EB
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
用途
CC/恒流
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