产品概要：

ID（ ）=15A，

BVDSS=650V,

RDS(on) = 200mQ @VGS = 10V

产品特征：

65(A/D-MODE GaN HEMT

非常低的 FOM RDS(on) x Qg

快速切换

改进的 dv/dt 功能

EAS 测试

基于 DFNP5060 封装中的 TJ(MAX)=150°C，使用结壳热阻

重复额定值，脉宽受限于结温TJ(MAX)=150°C。

L=10mH, IAS=15A, VDD=50V, RG=25Ω, 启动 TJ=25°C

4 这些曲线基于结到壳的热阻抗，该热阻抗是用

设备安装到一个大型散热器，假设 结温 TJ(MAX)=150°C。

5 R θJA 是从结点到外壳 RθJC 和外壳到环境的热阻之和。

6 这些测试是在设备安装在 2oz 的 1 in2 FR-4 板上进行的。 铜，在静止

TA=25°C的空气环境

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